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有機トランジスタ(OFET)ってどう?

1 :Nanashi_et_al.::2006/02/01(水) 00:04:58
最近流行のOFETについて語りましょう。
無機を超える日は来るのでしょうか?

まだまだ道は長い。

2 :名も無きマテリアルさん:2006/02/01(水) 23:07:42
ゴルフ板からなんとなく来て2をゲットしてしまいました・・・・

申し訳ありません

3 :名も無きマテリアルさん:2006/02/03(金) 11:11:04
じゃあ3げっと

4 :名も無きマテリアルさん:2006/02/03(金) 11:13:22
いいことを教えてやろう。
こんなスレを立ててくれたんだからな。
スペイン語で数字の「5」のことを「Cinco」って言うんだ。
OK、あぁ、わかってる。
お前のことだからとりあえずチンコを連想しただろ?
読み方をカタカナで表すとシンコって感じなんだが、
まぁ、今はそんなことどうだっていいんだ。
いいか、よく聞け。
これからは2ゲットの時代じゃなく、5に Cinco って書くことが流行る。
そう、5に合わせてただ Cinco とだけ書くんだ。
読み方のわからない厨房はチンコを連想するだろ?
まさにそれが狙いなんだ。
頭のいいお前には「5」ってことがわかるが、厨房には「チンコ」だ。
わかるか?それがお前と厨房の差なんだ。
これからはそうやって5をゲットすることでお前のすごさを見せ付けてほしい。

さあ

5 :名も無きマテリアルさん:2006/02/03(金) 15:20:59
チンコ

6 :名も無きマテリアルさん:2006/02/03(金) 23:07:55
有機ELに比べるとまだ夢があっていいよね。

7 :名も無きマテリアルさん:2006/02/04(土) 12:10:35
何に使うの?

8 :名も無きマテリアルさん:2006/02/04(土) 18:32:31
有機ELディスプレイやシートスキャナのスイッチング素子・ドライブ素子として使用します。

9 :名も無きマテリアルさん:2006/02/05(日) 00:28:33
>>6
ないだろ.
ここ数年参入するにわかさんが増えているがやることなんかもうほとんど残ってないぞ.

Pentacene薄膜トランジスタの最近のチャンピオンデータを見ても,
参入する勇気があるやつはすばらしいな.


10 :名も無きマテリアルさん:2006/02/12(日) 23:26:12
>>9

実際学術的にまだまだ確立されてない手探りのところが多いから、
基礎的なやること山積みな予感です。
要するに、研究するとこは大いにあるとおもいますよ。
やることがないっていうのは、
ただ単に問題意識がないのか、そこまで深く考えてないだけでしょう・・・

有機材料をうまく使いこなせるように、
是非、能力あるひと興味のある人に
真理の追究をしていってもらいたいもんですな〜。

個人的には期待してますよ、この分野

11 :名も無きマテリアルさん:2006/02/13(月) 20:45:21
>>10
いや,ほとんど残ってない.
手探りだと思っているのは最近の議論を知らないだけ.
少なくとも工学的に意味がある領域での議論はすでに片がついている.

2,3年前までならまだ確立されてないところがたくさんあったし,
そこら辺の解明が仕事として残っていると自分も認識していたけど,
単結晶とアモルファスのFETについての研究のおかげで
もうほとんどのデバイス動作に関する問題には工学的には答えが出てしまった.

あとは適当に分子を合成して一喜一憂するくらいのことしか残ってない.
でも,それにしたって設計指針はほとんど固まってきてるから,
結局その設計指針の正しさを確認するだけに終わることが多い.
それが物理だとか研究だというのならどうぞお好きなように.


12 :名も無きマテリアルさん:2006/02/14(火) 00:01:58
>11
ちょいと脇から失礼しますよ。w
>単結晶とアモルファスのFETについての研究のおかげで
>もうほとんどのデバイス動作に関する問題には工学的には答えが出てしまった.
ここんとこが良く解らないんですが、単結晶とアモルファスのFETってもしかしてシリコンのこと?
だとしたらここ2、3年で変わったことって、最近トランジスタをやり始めた人がようやく勉強して理解してきたってこと??
11さんの頭の進化を業界の変化みたいに言われてもな〜。

13 :名も無きマテリアルさん:2006/02/14(火) 09:20:51
>>12
単結晶の有機FETとアモルファスの有機TFT.
これらの系に対する実験結果とその解釈がここ数年で出始めて普及した.
このおかげで今までモルフォロジーとかドメイン境界とかでごまかされてきた議論が
大幅に精緻化した.

有機FETの動作に関する疑問も(たとえば,TOF移動度とFET移動度との差とか)
そのほとんどがこれらの系に対する議論の深まりで
物理的にはまだかもしれないが,工学的には解かれた.

14 :名も無きマテリアルさん:2006/02/15(水) 00:13:44
>>13

工学的に解かれたとはどうゆうことでしょうか?
その設計指針がほぼ抑えられたということですか?


ちなみに、ここ数年で液晶状態の中の移動度が
温度に依存しない理由というのはドウ理解できているのでしょうか?
もし知ってたら教えてください>11さん

結局、基礎研究の域は脱したという認識ですかね?
それこそ、夢があるじゃないですか。

今もてはやされてる、ペンタセンからどう変っていくんだろう。楽しみです!


15 :名も無きマテリアルさん:2006/02/15(水) 00:17:28
>>11
> もうほとんどのデバイス動作に関する問題には工学的には答えが出てしまった.
> あとは適当に分子を合成して一喜一憂するくらいのことしか残ってない.

理論的に確立できていたら、適当になんかならないのでは?
その辺がどうも確立できていない気がするのですが、気のせいでしょうか・・・笑

16 :名も無きマテリアルさん:2006/02/15(水) 00:51:21
>>14
その手の議論を見ればわかるよ.
有機FETのパフォーマンスが何によって決まっているのかが
要素に分解して見えるようになった.
その結果以前は見えなかったパフォーマンスの限界も見えるようになった
ということ.

あと,導電性液晶の移動度は低分子のFETに関していうと
結晶の系にかなわないのでFETに使おうとするのは
あまりうまくない.
なので,ここで挙げてきた意図がわからないんだけど,
その特性の解析はGaussian disorder modelあたりで
十分だと思われ.

>>15
文章を理解しましょう.
単純に言って合成する化学屋さんはすでに明らかになっている設計指針を知りません.
だから適当に合成して適当に論文を量産します.
でも,結果すでにわかっていることをなぞるだけで終わります.
まあ,追試も研究のうちですので意味がないとは言いませんけど.


17 :名も無きマテリアルさん:2006/02/15(水) 21:38:43
そもそも、そんなものいらない。
へにゃへにゃになったから何だというわけ?
そもそも誰もその答えを明確に持っていない。
できても、だからどうなの?としかいいようがない。
それがわかっていない人だけがやっている。

18 :名も無きマテリアルさん:2006/02/15(水) 22:19:04
>>16
そこまで言うのなら16さん、
アフォな俺らに重要論文を2〜3本教えて下され。

19 :名も無きマテリアルさん:2006/02/16(木) 12:01:15
>>18
絶縁膜に関する成果がここ数年のOFET研究の集大成になっているので,
それに関するレビューを見るといいと思う.
たとえば,
Chem. Mater. vol. 16 pp. 4543-4555 (2004)
Adv. Mater. vol. 17 pp. 1705-1725 (2005)
とか

あと,単結晶のはrubrene single crystalで適当に探してください.


20 :名も無きマテリアルさん:2006/02/16(木) 17:00:55
>>16
> >>15
> 文章を理解しましょう.
> 単純に言って合成する化学屋さんはすでに明らかになっている設計指針を知りません.
> だから適当に合成して適当に論文を量産します.
> でも,結果すでにわかっていることをなぞるだけで終わります.
> まあ,追試も研究のうちですので意味がないとは言いませんけど.

いやいや、19さんの挙げた論文程度なら大概の人は知っていると思いますよ。
むしろ、後発組のほとんどは論文書くときに、
通りやすいようにデーターを選んでるのが実情かと思われます。
(これまでの理論で説明できるほうが楽ですから)
しかしながら、実際やっている人は、理論では説明できない現象で悩んでるのが
多いとおもうんですが・・・そんな実情はご存じないですかね?
もちろんそれを説明するのが個々の研究者の力量に左右されますから
それこそ本当の研究ですけど、ある程度納得のいく説明ができるようになるまでは
表に出てこないと思われますね。

したがって、論文読んですべてをわかったつもりになっているのは
勘違いじゃないかとおもうわけです。
論文にはある程度、説明できることしか書いてないわけですから・・
所詮頭でっかちにはわからないでしょうけど(笑

大体、最近は化学屋さんと物理屋さん共同で執筆してるのが多くないですか?
16さんのような、プライドばかり高い人だったら
まあ、共同ではやりたいひともいないかな(笑
本書くなり、学会で指摘するなりして
がんばって、多くの人のしらないこと広めてあげてくださいな。

21 :9=11=13=16=19:2006/02/16(木) 20:44:44
>>20
論文を読むのと理解するのは別だということですね.

現実の系が汚れているのは当たり前.誰も理論で個別の系の現象が
すべて説明できるなんて思ってない.
問題は個々の現象の説明ではなくOFETというデバイスにどれだけ夢を抱けるかということ.

もちろん,ある分子を合成したとしてどんなFET特性を示すかは予想できないでしょう.
そこに創造性があると思うのは勝手です.
でも,結局は絶縁膜と有機物界面の輸送現象ということで
お釈迦様の手のひらの上なわけですよ.わかりやすく天井があってそれは超えられない.


あと,自分はOFETなんてすでに食べつくされたくせに妙に人口密度も高い分野に
後発で参入するほどお馬鹿じゃないので.


22 :名も無きマテリアルさん:2006/02/18(土) 18:33:32
>>21

んで、どの分野に夢を描いてるの?
よっぽど、魅力的なところがあるのかな?

23 :名も無きマテリアルさん:2006/02/18(土) 23:06:35
>>22
教えたら人が増えちゃうじゃない
人口密度が低いだけでそう穴場というわけでもないし.

24 :名も無きマテリアルさん:2006/02/24(金) 00:40:48
深々とした底知れぬデスバレーが目の前に広がる分野。
それでもあえて突入する産業界の研究者の漢はいるかね?

25 :名も無きマテリアルさん:2006/02/24(金) 10:29:08
俺じゃ役不足かな

26 :名も無きマテリアルさん:2006/02/25(土) 16:44:03
教えて下さい。
アモルファスSiを用いたTFTや酸化物半導体を用いたTFTに対し
有利な点はなんでしょうか。
塗れる点でしょうか。(その場合耐久性も含めて性能がでるのでしょうか)
フィルム基板上に作製できる点でしょうか(酸化物半導体でもできます。)
コストでしょうか?

27 :名も無きマテリアルさん:2006/02/25(土) 19:19:35
塗れるという以外にメリットなさそうだ。

28 :名も無きマテリアルさん:2006/02/25(土) 21:32:05
>>26

コストとそのはるか先に見える単分子TFTで集積度UPが究極じゃないのかなあ?

29 :名も無きマテリアルさん:2006/02/26(日) 01:07:17
>>26
有機物の半導体の基本的なメリットは短距離秩序は
分子という形で確保されてるという点.
ただ,このメリットは有機ELとかだとある程度重要だけど
有機FETだとあんまり意味がない.

そこら辺が数々の問題はあれど一応商品化される有機ELと
所詮好事家のデモンストレーションにとどまる有機FETの
差なんじゃないかと思ったりする.

で,フィルム基板上に作成できるのは有機FETの
ほとんど唯一の質的メリットだと思う.
塗布可能なのは基本的には高分子系だけなので
有機FETのメリットといわれると違和感がある.

酸化物半導体でもフィルム基板に作成できるというのが
どの例を念頭においているのか微妙なところだけど,少なくとも,
塗布系の酸化物半導体は確実に有機FETの居場所を脅かしつつあると思う.


30 :名も無きマテリアルさん:2006/02/26(日) 01:13:45
>>26
OFETは材料にレアメタルを使いません。
他の有機素子と同じ装置で薄膜を形成出来ます。

>>28
単分子TFTとは?

31 :名も無きマテリアルさん:2006/02/26(日) 01:56:38
>>29
>塗布系の酸化物半導体は確実に有機FETの居場所を脅かしつつあると思う.
できればこれ詳しく教えてくれないでしょうか。塗布できる酸化物ナノ粒子は
よく聞くけど、FETで作動するのもあるのでしょうか。焼成温度が200℃
くらいまでで。

>で,フィルム基板上に作成できるのは有機FETの
>ほとんど唯一の質的メリットだと思う.
>塗布可能なのは基本的には高分子系だけなので
>有機FETのメリットといわれると違和感がある.

これには本当に同意です。ペンタセンなどの低分子半導体でもいろいろがんばって
移動度10cm2/Vs超えるか超えないかって話。わざわざ手間隙かけてその程度の
特性なら酸化物半導体のがいい。フィルムに形成できるというところでは同じだし。

有機半導体の唯一のメリットは塗布できる。これにつきると思う。
エプソンやプラスチックロジックがやってるようにインクジェットなどを利用して、
真空機器を全然使わずに作製できて、コスト大幅に安くできればそれなりの
居場所ができるかもしれない。

だから、塗布でトランジスタが作製可能な酸化物半導体なんかができれば
この唯一のメリットも崩れる。

>>30
蒸着などの真空機器を使ってOFETを作るのはさほど意味ない気がする。
それならスパッタで酸化物半導体でもつけた方がいいんじゃね?
特性もその方がいいみたいだし。

32 :名も無きマテリアルさん:2006/02/26(日) 02:47:57
>>30

失礼、言葉が変でした、
単分子TFTではなく、単分子トランジスタ?といったらいいんですかね。
そんな言葉が存在してるかどうかもわからないけど、
究極的には、単一分子でトランジスタができるとして、
かつそれを思いどうりに並べる技術ができれば、
現状と比べても桁違いの集積度を達成できると・・・どこかの雑誌で読んだ気がします。

33 :29:2006/02/26(日) 13:06:29
>>31
自分も専門じゃないからReviewを少し見ただけなのでなんとも.
ただ,有機FETで有名だった人が塗布できる酸化物半導体の論文を
最近出しててのけぞった記憶がある.

あと,Pentaceneの有機FETは条件がわかってきただけで,
追加の手間自体はそれほどでもないと思われ.
絶縁膜にカバー層をスピンコートすることだけが最近の工夫で,
後はいつもと同じだし(活性層+電極を真空蒸着).
逆に,その程度の工夫でほぼ材料の素の特性(の半分くらいかも)を
出せるというのは有機半導体の強みといえば強み.

しかし,スパッタで低温でつけた酸化物半導体ってそんなに特性いいの?
ちゃんと熱処理したりとかしないと10cm2/Vs以下の悲しい特性しか出ない印象が.


34 :名も無きマテリアルさん:2006/02/26(日) 14:18:03
>> 33
>>ttp://www.e-express.co.jp/past/fpd_041130.htm
>2004年11月25日
>JST 透明なフレキシブル無機TFTを開発

>科学技術振興機構(JST)は、In-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物半導体を
>活性層に用いてPETなどのプラスチック基板上にフレキシブル透明無機
>トランジスタを作製することに成功した。キャリアモビリティは
>10cm2/V・secとa-Siや有機半導体の10倍以上だという。
 ↑これなんて結構凄くない?実際凸版がこれでフレキシブルな
ものを試作している。





35 :名も無きマテリアルさん:2006/02/26(日) 14:18:15
これに対する有機半導体のメリットは

>http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20060223/113622/

以下引用
------------------
有機エレクトロニクスの製造技術は大きく分けて,蒸着法などのように
真空プロセスを利用する方式と,材料を溶液化して塗布するように
印刷プロセスを利用する方式の2種類がある。一般に,大面積基板を
使って高速に低コストで処理するためには印刷プロセスが有利だが,
高性能を現在実現しているデバイスには真空プロセスを利用したものが多い。
また,有機半導体層以外のメタル層や絶縁層の工程には,真空プロセスを使った例が多い。

「有機エレクトロニクスでは,印刷プロセスと真空プロセスのどちらが本命か」。
講演後の質疑応答で会場から質問を受けた東京大学 国際・産学共同研究センター
教授の桜井貴康氏は,「本命は印刷にあるのではないかと思っている」と答えた。
その理由として,有機エレクトロニクスの最大のメリットが「大面積基板を使いなが
ら低コストにできること」にあることを挙げた。Siデバイスに比べると性能は低いが,
この点は有機デバイスならではの特徴といえる。この特徴を生かすには,
「印刷を狙うのが良いと思う」と述べた。
----------------

やはり印刷法の利用による低コスト化くらいしかないのでは?

36 :29:2006/02/26(日) 17:23:43
>>34
自分もその細野グループのやつを念頭においていた.

そのニュースでは10cm2/Vsといっているが四捨五入すれば10cm2/Vsという話で,
それだったら今のPentaceneの特性も四捨五入すれば10cm2/Vsなので微妙.
というか,今のペースだとそろそろ抜けそう.
これからはやはり無機での薄膜化は犠牲を伴うんだという結論しか出ない.

ただ,酸化物半導体には溶液から薄膜化しつつ20-30cm2/Vsあたりの
移動度(有機物の単結晶での限界)を出してもらうと
有機FETの人々を絶望のふちに叩き込めるというか,
それに近い結果は出つつある.
Adv. Mater. vol. 14, pp. 1772-1776(2002)
J. Mater. Chem. vol. 14, pp. 2355-2365 (2004)

個人的には高分子系が今の低分子系の移動度に追いついたらこの分野の
応用を見据えた工学的な研究は終了なんじゃないかな.


37 :名も無きマテリアルさん:2006/02/27(月) 00:15:20
インジウムを使わない酸化物半導体でTFTは出来たの?
インジウムは液晶で、もはや価格高騰が凄まじいことになってる。
だから現段階では、材料的に低分子系のOFETが有利だと思う。

38 :名も無きマテリアルさん:2006/02/27(月) 00:38:12
自分は有機半導体の研究をしているが、単にフレキシブル基板上にスイッチング素子を作り
たいなら、資源の心配がないうちはIGZOのほうが優れていると思うよ。PLDだけではなく、
プラズマスパッタでも出来ているらしいしね。
ただ、聞いた話では、IGZOはs金属の広がった軌道を使うことから、原理的にn型しかまと
もな移動度が出なかったはず。
フレキシブルロジックなどをCMOSで組むには、p型が得意な有機半導体と組み合わせる
のが得策なんじゃない?

39 :名も無きマテリアルさん:2006/02/27(月) 00:44:20
もう一つ書き忘れた。w
基本的にフレキシブルエレクトロニクスは、大量生産使い捨てが前提だから、
資源量が少なくって再利用も難しい材料は長期的にはパスね。
もちろん、有機半導体も石油に頼っているうちはアウトだが、それはプラス
チック類がすべて一蓮托生だから、だれかが代替技術を開発するでしょ。

40 :名も無きマテリアルさん:2006/02/27(月) 00:55:33
>>38
IGZOはInやZnの広いS軌道を利用しているから、アモルファス状態
でもそれなりの移動度が出る=低温でも形成可能という理屈。
むしろ下手に結晶化させると粒界散乱の影響で移動度落ちる?
また、確かにInを含んでいるうちは資源的に心配。
ZnやGaだけでできればいいと思うけど。

また、低分子(高分子もか?)有機半導体は酸素や水に弱いという欠点がある。
室温で放置してるだけなのに、On/Offがぐんぐん悪化していく。
IGZOなどの無機半導体はこの点でかなり有利な気がする。

とはいえ、実際IGZOなどを扱ったことないからどうかは知らないが。
誰か知ってる人いたら教えて。

41 :名も無きマテリアルさん:2006/02/27(月) 10:31:57
>>40
特性の劣化は低分子高分子両方とも大きな問題だが,
移動度の向上が一服してしまったので最近の研究では
特性の長期安定性のデータは半ば必須となっている.

研究室レベルでは封止なしで空気中に40日程度放置しても
特性がほとんど変化しないという材料も珍しくない.
設計指針もある程度分かりやすいものが出来つつある.


42 :名も無きマテリアルさん:2006/02/28(火) 22:30:20

半導体物理など光学物理を扱わない分、有機ELより楽勝。
有機ELは、学術的にも深い。ただ、測定者(研究者)が
きちんと測定していないため、グループ間での議論が行い
にくくなっている。材料変えた…云々は、まあいいとして。
有機FETには、そういった問題は比較的少ないかな…

43 :名も無きマテリアルさん:2006/03/05(日) 20:14:37
>>42

きちっとした測定というところに、研究機関によって大きな差がある希ガス。

ちなみに、この分野の基本特許はどこが握っているのかしっていますか?

44 :名も無きマテリアルさん:2006/03/11(土) 07:44:39
>>43
おしえれ

45 :名も無きマテリアルさん:2006/03/11(土) 14:31:38
>>44
43じゃないけど

どことはいわないがありえない移動度を出すところがある.
毎年ありえなさに拍車がかかっているような気さえする.
昔はp型だったからまだありえないほどでもない数字だったけど,
最近n型の方が受けると知ったのかすさまじさの度合いが増している.

つーか,n型の薄膜FETで移動度2cm2/Vsはないだろ.
それも,フッ素つけただけのあんなやる気のない物質で.


46 :名も無きマテリアルさん:2006/03/11(土) 20:49:20
TFTの「移動度」は注意しろ!
意図的じゃないにしても、簡単にウソが出る。
TFTの測定と同じタイムスケールでゲート絶縁膜のCがいくらか、みんなちゃんと確認している?

47 :名も無きマテリアルさん:2006/03/11(土) 21:28:38
>>46
イオンとかでゲート容量が低い周波数で大きくなってる可能性ってこと?
ポリマーならまだしも普通のSiO2の絶縁膜でそんなに変化するとは思えないんだけど.


48 :名も無きマテリアルさん:2006/03/11(土) 22:41:50
>>47
おいおい、SiO2を知っているのか?
あんなもの大気中で人が扱っていたら、ナトリウムだらけで、「誘電率」は低周波数ほど上がるようになる。
ところが、それを高周波でC計ると、イオン伝導による分極を含む準静的なCよりも小さく出る。
で、高周波でのCで移動度計算したら、実は想定以上にキャリアを誘起しているので移動度が大きめに出る。
ケミストが良くやる間違い。

49 :名も無きマテリアルさん:2006/03/11(土) 23:42:30
>.48
うちが使ってる絶縁膜では5から100kHzくらいまででほとんど誘電率の変化はない。
SiO2だけど、そんなに誘電率変わるの?どうも信じられない。
素手でべたべた触った上に電極を蒸着したりしたことによって界面に妙な準位
つくったことによる空間電荷効果とかじゃないのだろうか?
よほど、粗悪な扱いをしない限りそうそう変化はしないだろうに。

とはいえ、1割違ったら移動度1割違うからな。どのくらいを”違う”と判断するかに
よって意見が変わりそうだ。

50 :名も無きマテリアルさん:2006/03/12(日) 00:25:43
49氏が使っている酸化膜がきれいなら、それはめでたいということでいいんじゃない?
ただし、TFTの伝達特性を5ヘルツよりゆっくり計っているならご注意。

Si MOSを扱っている人なら良く知っているはずだが、よく見る日本語の半導体の「教科書」にはあんんまり書いてないんで....
手っ取り早い説明ウェブで探したけど、こんなのしか探せなかった。
ttp://www.enigmatic-consulting.com/semiconductor_processing/selected_shorts/Gettering.html
どこかから酸化膜付きのウェハや基板を大量に買って、長らく保管して使っているひと、
半導体グレード相当より汚い溶液に基板を曝すプロセスをつかっているひとなどは一度気にしてみてもよいと思うよ。

51 :名も無きマテリアルさん:2006/03/12(日) 00:46:49
>>50
が引用してくれたように、Naイオンなどが入ると絶縁膜中を
可動して誘電率が変化するようだが、相当ゆっくりでないと
変化しないのではないのだろうか?
一般的な半導体パラメータアナライザーの測定速度だとまあ
気にしなくてもよさそう。
ただし、ソースメータ二台で測定してる場合とかは、どのくらいの
測定速度であるか一度見直したほうが良いかもしれない。

ゲート電圧をかけた後、しばらくたってからソースドレインの間に
電圧をかけ、さらにしばらく電流が落ち着くのを待つ、なんてことを
しているときは要注意だな。(意図しなくてもプログラム的にそうなって
しまうこともありうる)

52 :名も無きマテリアルさん:2006/03/12(日) 02:28:36
>>51
一般的な半導体パラメータアナライザの速度ってどのくらいなんでしょうか?
うちだと装置自体は普通のやつだと思うけど,
伝達特性1本測るのに30秒くらいかかってるんだけど.

あと,個人的には絶縁膜がSiO2とかなら絶縁膜中のイオン云々よりも
界面トラップなどによるヒステリシスのほうが影響として大きすぎるので,
あんまり気にしてもしょうがないかなという気がしてしまう.

といいつつ不安になったからmHzあたりまで誘電率測定してみるけど.


53 :50:2006/03/12(日) 13:23:29
言い忘れた。
一番簡単な確認法は、ゲートスウィープの速さを変えて往復の伝達特性取っておくこと。
可動イオンが入っていたら、速くふるとヒステリシスが小さくなってくる。
ただし、SiO2中のナトリウムなら数Hzに十分追従するので、思ったより早いスウィープでもヒステリシス出るよ。
ヒステリシス付きのカーブを見たら、片側だけ取ると結構移動度見積もり誤るのが判る。

54 :名も無きマテリアルさん:2006/03/30(木) 02:23:29
阪大Y研のメタルベーストランジスタが動くわけがないと思う人挙手!

55 :名も無きマテリアルさん:2006/03/30(木) 09:42:24
>>54
気持ちはわかるけどデバイスが動いてるってのは良いんじゃないかな.
でも,絶対にあの中間のAl電極は穴が開いててスカスカだと思う.
どこぞのSITも昔は20nmのAl半透明電極だったんだよなあ.
鬼の首をとったようにSITはライン発光ですからとか言ってるのがマジ受ける.

56 :50:2006/03/30(木) 22:40:13
まあ、新しい物理が必要なのか、あるいは、新しくないけど抜け落ちてるメカニズムがあるのでは?
それが、どこまで安定して使えるのかが課題。

57 :名も無きマテリアルさん:2006/03/30(木) 22:41:47
しまった!
よその板で使った50ってのを名前に入れたままにした。
ここの50とは関係ないです。

58 :名も無きマテリアルさん:2006/04/06(木) 23:12:16
ウェットプロセスで作れるシリコンTFTがキターー!
移動度は108!

ペンタセンの時代ももう終わりそうだね。

59 :名も無きマテリアルさん:2006/04/07(金) 22:12:57
>>58

どこどこ?
出元記事か文献おしえてください。m(_ _"m)

60 :名も無きマテリアルさん:2006/04/07(金) 23:03:37
500℃くらいでアニールが必要みたいだから、プラスチックの
上に作るとかは無理みたいね。その後、レーザー結晶化もするみたいだし。
>>http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20060405/115798/?ST=fpd

これがもっと低温になってプラスチックなどの基板にも作れるようになったら、
そのときは低分子も高分子も含めて有機トランジスタの存在意義がなくなる。

しかし、原理的に低温化は無理じゃないのかなあ?脱水素の際に
高温がいるんじゃなかろうか。

61 :名も無きマテリアルさん:2006/04/08(土) 21:54:44
ポリシリコンTFTは転写でプラスチック基板上に作製できるから、
少なくとも蒸着系のOFETは、既に不要だったと思う。

今回、ポリシリコンTFTがウェットプロセスで作製できたことから、
例えフレキシブル基板上に作製できたとしても、
高移動度の見込みの無い高分子系も、ヤバくなった。

残されたのは高温溶媒や前駆体を用いた
ウェットプロセスによる低分子系OFETのみ。
フレキシブル基板上に作製できて、
有機ELのスイッチ回路としての
移動度は確保できそうなので。

62 :名も無きマテリアルさん:2006/04/08(土) 22:40:56
>>61
低分子のウェットプロセスが生産ラインに乗っている姿がいまいち想像つかないので,
ウェットプロセスで低分子のFETを作るくらいだったら
高分子系の移動度を上げたほうがまだましなように思う.

移動度0.7cm2/Vs(高分子系FETのチャンピオンデータ)じゃ足りない?


63 :名も無きマテリアルさん:2006/04/11(火) 21:30:40
想像できないって言われても…。

64 :ぺんたろう:2006/04/16(日) 21:30:41
4月からこの分野の研究をすることになった学生です。

研究用でペンタセン実際に使ってる人いますか?

材料はみなさんどこから買うのが一番いいのでしょうか、
以前にメーカーによって品質が違うということを聴いていたので、

現在、化学系の人に頼んで、試薬屋さん数社と、
怪しいネットで広告出してる業者から取り寄せ中。

研究用途なので1gもあれば十分です。

いい情報あったらおしえてください。


65 :名も無きマテリアルさん:2006/04/17(月) 01:22:11

定性的に材料屋を選んでいるのか…
かわいそうに、乙。

66 :名も無きマテリアルさん:2006/04/17(月) 02:36:16
>>64
ペンタセンについてはアルドリッチがいいとよく聞く。
他の会社では純度が低くて半導体特性があまり良くないそうだ。

67 :66:2006/04/17(月) 02:57:57
途中で送信してしまった。

ちなみに俺が知ってるペンタセンの純度

アルドリッチ 99%
関東化学   98%
東京化成   95%くらいか(最近99%以上の高純度の製品を出したらしい)
和光純薬  忘れた(あんまりよくなかったような気がする)

他にも海外メーカなども含めれば無数にあるが、いちいち全部試しちゃ
いられまい。

まあ、純度を測定したことがないから、本当にいいかどうかは
保証できないが、とりあえずペンタセンで実験してる人は
大体アルドリッチ製のを使ってるようだ。ひとまず、おとなしく真似とくのが
無難だろう。
論文読んでてもペンタセンはアルドリッチから購入しているのが
非常に多いし。純度がさらに気になるなら、これに昇華精製
を何度かすればよかろう。

低分子半導体は気軽に不純物の測定ができない。溶液化でき
ないからな(一部の低分子は溶液化できるから可能らしい)。
定性的にならなんとでもなるが、定量化は大変と聞く。

68 :名も無きマテリアルさん:2006/04/17(月) 04:45:33
>>67
昇華精製かけるんだったら元の純度はあんま関係ないと思う.
で,あとで昇華精製かけるんだったら元の純度が高いやつは
お値段も高いのでお勧めしない.

ちなみに,今はもう改善されてると思うけど,
その昔,AldrichのPentaceneはPentacenequinoneが入っていたらしい.
http://arxiv.org/ftp/cond-mat/papers/0404/0404130.pdf
そういうのもあるんで,適当なやつを買って自分で昇華精製かけるほうが安全だと思う.

69 :66:2006/04/17(月) 06:06:15
>>64
昇華精製って一回じゃなくて何回もやらなきゃいけない。
(どこまで純度求めるかだろうけど)
当然、もとの純度が高いほど、精製の回数が少なくてすむ。

ちなみに俺はアルドリッチ製品で3回精製やってたことがある。
移動度1cm2/Vsくらいが普通にでる。
(無論最高値はもっと高い。SiO2絶縁膜、表面処理あり、
金のトップコンタクトだから、実用性がないプロセスだけど)
最近精製なしでやったが、特性がほとんどど変わらなかった。
(純度があがった or 蒸着テクがあがった(笑))

また、昇華精製やればどんな会社の製品でも特性が出る、
とはいかないようだ。ある聞いたことが無いような材料会社の
製品で試した(安いから)が昇華精製3回やってもぼろぼろの特性だった。
よくよく不純物だらけだったと見える。ま、もっと昇華精製の
回数増やせばいいだけかもしれないが。

予算によるが、金があるならそのまま使えるくらい純度の高い
製品を買って精製の手間を省くか、安い材料で不純物が
入ってるのを買って、何度も昇華精製をするかの二択だろう。
研究用で少量なら個人的には前者がお勧め。
どっちにするかは好みの問題だけどね。

参考までに、
ペンタセンは6と13の位置が一番活性で、光照射下で酸素と化合して
ペンタセンキノン>>68氏が>http://arxiv.org/ftp/cond-mat/papers/0404/0404130.pdf
で紹介しているようなものになる。他にもペンタセン同士が反応してペンタセンダイマー
を作ることもあるようだ。だから保管は常に暗いとこで、真空(または不活性ガス中)
が望ましい。
いくら純度が高くても蛍光灯がばりばりあたるとそれだけで酸素が反応して変化していく。
ペンタセンに光は天敵です。もちろん昇華精製も暗いとこでやってね。

70 :ぺんたろう:2006/04/17(月) 23:29:19
回答いただいたみなさんありがとうございます。
特に68さん文献アリガトウございます。

いろいろメーカーによって違いがあるのは本当なんですね!

今日、ネット販売の会社に問い合わせたところ、
納入先(電機メーカー)で、性能出ているから品質は問題ないということ言われました。
疑った口調で聞いたんで、すこし嫌な感じでした・・・^^;
ちなみに、そのペンタセンは昇華品を売っているらしいです。

向こうの言い分を信じれば、たぶん、そのまま使えると思うんですが、
念のため、じぶんとこで昇華したやつとで比べてみようとおもいます。

しかし、昇華はできるけど、身近にpentacenequinoneとやらを分析する
装置(HPLC)はないんだよなあ・・・。
さっそく別の部屋に相談にいかなきゃ・・・orz、
こんな役回りばかりで、研究よりも今はネゴシエーションの日課です。

すべてそろっている研究環境がうらやましいーー




71 :名も無きマテリアルさん:2006/04/28(金) 23:13:39
というか藻前ら、再結晶とかはしないの?

72 :名も無きマテリアルさん:2006/04/28(金) 23:54:10
何の再結晶?今話題に出てるペンタセンは溶ける溶媒がなく、再結晶で
精製ができないから、やむを得ず昇華精製してる。
低分子有機半導体でも一部の物質は溶液化可能だから、それなら
再結晶で精製できるかもしれない。

73 :名も無きマテリアルさん:2006/04/29(土) 01:21:13
?
では試薬屋が売っているペンタセンは、化学合成後の単離はすべて昇華
でやっているとでも?
もちろん溶媒に溶けにくいが、溶けないわけではない。


74 :名も無きマテリアルさん:2006/04/29(土) 01:33:01
>Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L315
>Pt. 2, No. 2B, 15 Feb. 2004
>ペンタセンの 1H-NMR解析
>長野みか・長谷川哲也・明神紀勝・山口 潤
>伊高健治・福元博基・山本隆一・鯉沼秀臣
>東工大応セラ研.
>有機電界効果トランジスタへの応用の観点から注目されているペンタセンの
>基礎物性を調べるために,核磁気共鳴(1H-NMR)の解析を行った.ペンタセン
>は通常の有機溶媒に対する溶解度が非常に低いため,これまで最も基礎的な
>解析であるNMRの報告がされていなかった.比較的溶解度の大きいDMSO -d6
>溶媒を用いて,温度を80℃に上げることにより溶解度を上昇させ,NMR解析に
>初めて成功した.酸素を含む溶媒中ではペンタセンが酸化され,より溶解度の
>大きいペンタセンキノンが生成されるが,脱ガス処理をした溶媒中ではペンタ
>センが安定であることから,空気中でペンタセン薄膜の電気伝導度が不安定に
>なる理由としてペンタセンキノンの生成によるものであると結論づけた.

もっともDMSOで再結晶はしたくないな。
しかも温調かけてNMR,しかもプロトン取っただけでJJAPとは
世の有機化学屋が聞いたら怒り狂うなw


75 :72:2006/04/29(土) 02:12:38
>>73
旭化成が塩素系の溶剤でペンタセンを溶液化させたりしているが、
不活性雰囲気+遮光+温度が必要。
その溶液から基板への結晶成長というネタで発表してたりする。
もっといい溶剤を知っていて、そこから再結晶化できるなら
やっているだろう。

実際化学メーカは合成後の単離はどうしてるんだろう。
不純物の方を流してるだけ?濾過して残ったのはペンタセンです。
みたいな。

76 :名も無きマテリアルさん:2006/04/29(土) 23:38:22
>>75
このスレって合成屋さんいないのね(自分も違うし)

つーか,結晶が出来る分まだFET材料はマシなんだろうな.
結晶にならないような材料だと昇華精製も効きづらいし,
再結晶化はあ?って感じだろう.
そういう意味でEL材料の方がどうやって精製してるのか謎だ.

あと,実験室レベルなら精製はカラムにかけて終わりだと思われ.
分解したりその他でそれ以外に精製のかけようのない材料が多すぎる.

77 :名も無きマテリアルさん:2006/04/29(土) 23:51:40
ペンタセンにかぎらず、トランジスタ向けの低分子は再結晶法じゃ純度ダメダメでは?
試薬メーカーの高純度品もすべて最後は昇華精製を繰り返しているみたいよ。
EL材料ってどうやってるんだろうね?

78 :名も無きマテリアルさん:2006/04/30(日) 01:01:29
>>77
EL材料も結局、昇華精製らしいよ。

79 :名も無きマテリアルさん:2006/04/30(日) 07:37:44
低分子は、昇華精製できるからまだいいよなあ・・・
高分子のほうの精製はどうしてるんだ?


80 :名も無きマテリアルさん:2006/05/03(水) 00:09:58
この5年位で盛り上がってきたけど、将来性は薄い気がするね。
学生の時にやっていたんだけど。
今は、電気系(デバイスではない)のエンジニア。
信頼性とかコストとか、有利な点がない。
Siのコストの安さとか求められる信頼性をを考えていないんだろうな。
(基礎研究なのでいいけど。)

しかし、EPSON スピンコートのSi系有機物塗布+レーザアニール 高移動度→Nature
東大 ペンタセンのTFT + センサに加工 (教授が元東芝のエンジニア) → ISSCC

を見ていると、そんなのでいいのかと思う。

新しい画期的な材料が出てこないと厳しいね。(化学屋の仕事だが)。

81 :名も無きマテリアルさん:2006/05/03(水) 02:29:35
そうだね。今有機のトランジスタやってるけど、信頼性がダメダメ。
ペンタセンなんか話にならない。コストに関しては結構いけるかもしれない
とは思う。もちろん塗布プロセスの場合に限る。

先行きは材料次第。

82 :名も無きマテリアルさん:2006/05/03(水) 13:22:43
>>81
学生の時はシリコンより安くできると、思っていた。
この分野の研究者はコストと大面積化がうりで、
どの論文を読んでもそう書いてある。

でも、携帯用の2インチ液晶パネル500円未満
(バックライトやドライバも含めた、価格しかしらないので正確でない)
無線タグ用のシリコンチップ1円
OPAMP 10円

というのを知ってしまうと、数がでれば設備の価格は
それほどクリティカルではないと気がついてしまった。

信頼性は有機ELが今直面しているけど、5年たっても
商品化ができない(TVなみの長時間はNG)のが
産みの苦しみだと思ってみている。
(初めての有機アクティブデバイスだからな。)

でも出光と三菱マテ?だったか、技術を持ち合って、
寿命4万時間とかのELを発表していたかた、
あと一歩でもものみなる。


83 :名も無きマテリアルさん:2006/05/03(水) 23:19:24
>>80-82
自分もそうだから人ごとではないが、電気屋ってのはすごく保守的だからね〜。
よっぽどメリットがないと新しいものは常に否定されがち。
50年ほど前の半導体初期も、こんな信頼性のないもので真空管のかわりがつとま
るはずがないと言われていた。
そんな超保守の電気屋さんたちを乗り気にさせるような進歩や新しいアプリケー
ションが必要なのが一番の課題なんだろうね。

84 :名も無きマテリアルさん:2006/05/04(木) 01:53:59
シリコンでできることはシリコンで行われるって格言?があるよね。
絶対にシリコンではできない!!っていう用途を探さなきゃ
有機FETの未来はないのではないのだろうか。
安く作れるからとかじゃなくて、もっと本質的なことで何か
一個でもどこかに優位性がないと、芽が出ずに終る。
有機FETの本質的な優位性はなに?

85 :名も無きマテリアルさん:2006/05/04(木) 02:42:18
有機ELならまだしも(無機物で同じ構造のデバイスを作るのは大変),
有機FETにそういう類の優位性はない.コストとプロセス温度だけ.

有機物なんだから,どこぞのサイリスタじゃないけど
FETよりも複雑な素子をシミュレートできればまだ優位性はあるんだろうけど.

86 :名も無きマテリアルさん :2006/05/06(土) 17:56:45
高分子(pht)のFET作っているけど,ゲートの絶縁膜って
SiO2以外で何があります。

ここにはhttp://www.nanoelectronics.jp/kaitai/printableofet/2.htm
PVPhがよく使われるって書いてあるけど・・・。
あと、ポリイミドとかも。

こういうのって有機溶媒系には溶けないの?



87 :名も無きマテリアルさん:2006/05/07(日) 15:11:07
>>86
無機物
Ta2O5 Al2O3とか

有機物
CYTOPその他のフッ素系(トップゲートの論文はパリレンかこの手を使ってるのが多い)
ポリイミド(スピンコートして焼くとイミド化するなり何なりして溶けなくなる)
ポリαメチルスチレン,ポリプロピレンその他(他の絶縁膜の上に薄く塗って使う)
パリレン(CVDで付けれるのがメリット)

ポリビニルフェノールとかは誘電率の関係で最近はあまり流行らない.
あと,無機物はHMDSやOTSで処理するのが普通.
といっても,基板を処理したからといって論文のように
特性が劇的に変わるかというと微妙.

88 :名も無きマテリアルさん:2006/05/11(木) 01:26:20
絶縁膜の表面処理は制御がとても難しいそうだよ

89 :名も無きマテリアルさん:2006/05/18(木) 02:41:11
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20060516/117154/
低分子型でありながら塗布で成膜できる有機半導体材料

これは結構いいんじゃないのか?
移動度1.4cm2/Vs らしいぞ。a-Siよりも高い。


90 :名も無きマテリアルさん:2006/05/18(木) 08:56:49
企業が出す移動度は信用しないと誓った今日でした.
Pentacene系かと思ってみてみたら,Fig.はともかく協力している教授の研究も含めてPc系だった.

最終的にできる膜がCuPcだとすると,
(CuPc ; Pc系では一番一般的かつ普通に入手でいるなかでは移動度も高い)
CuPcの単結晶の移動度って1.5cm2/Vsとかとかそのレベルなのに,
どうやったら薄膜でその上前駆体からの製膜なのにそんな移動度が出るのかと聞いてみたい.
ちなみに,単体の薄膜だと0.02cm2/Vsくらいしか報告されていない.
あとはわけのわからない複合膜で0.5?cm2/Vs程度の値が報告されているのが薄膜では最速かな.

91 :名も無きマテリアルさん:2006/05/18(木) 11:45:42
>>90
構造を良く確認シル!
Pcではないぞ!
結晶内でのパッキングもPcとは違うらしい。
1前後ならおどろくこともないと思うが。

92 :90:2006/05/18(木) 13:14:31
>>91
関係者?
まあ,そんなんで直接的に何かが変わるとは思えないんだけど確かにNが4つ少ないね.
ほんと学会発表や論文が楽しみだわ.

あと,結晶内でのパッキングが違うってことは単結晶できてるの?
ならその特性も見てみたいねwどんな特性になるのやら,
下手すると100cm2/Vsとか言っちゃうんじゃないのw

93 :名も無きマテリアルさん:2006/05/18(木) 18:46:41
>>90

89の記事については、ペンタセンとは逆に、基板にはりつく構造をとりそうなので
縦型トランジスタでTFTを作ったと仮定。
これにより、チャンネル長が著しく短くなり、移動度が向上できたのじゃないか?

と読みました。



94 :名も無きマテリアルさん:2006/05/19(金) 22:34:33
>>93
チャネル長が短くなることと「移動度」が大きくなることは直接の関係ないだろ?
あと、あの写真をみるかぎり、少なくともスイッチングトランジスタのほうは
普通のTFTに見える。ドライビングのほうはよくわからん。

95 :93:2006/05/19(金) 22:59:25
>>94

多結晶の場合は、s-d間のグレインバウンダリーの数が減りますよ!
=単結晶に近くなり、性能向上の傾向がみられる

96 :名も無きマテリアルさん:2006/05/20(土) 14:25:11
>>95
>多結晶の場合は、s-d間のグレインバウンダリーの数が減りますよ!
それはそうかもしれないが、写真から判断する限り、
今回のは普通のTFTであるようだ。有機ELだから、デ−タ用と
駆動用の二種類あるようだけどね。

移動度が10とか20ならともかく、1前後なら前駆体からの結晶化で
作ったものだとしても別におかしくはないでしょう?
ペンタセンの前駆体からの結晶化で最高値が0.1から0.5くらい。
今回はそれより高いようだが、あってもおかしくはない。
前駆体や溶液からの結晶化はやりようによっては最高値は蒸着
よりも高い移動度を出せるからな。
ただし、その代わりに犠牲になるのがばらつき。想像だが、今回の
TFTも特性はおそろしくばらつくのではないだろうか?

俺の知ってる限りではIBM?がやったペンタセンの前駆体からの
結晶化では移動度が同じ基板内で二桁くらいばらついてた。

仮に今回のがまったくばらつかずに1.4くらいが安定してできてる
としたらすごい。
有機TFT実用化の目途がついたとまで言っても言い過ぎではないよ。



97 :96:2006/05/20(土) 14:30:14
旭化成か旭硝子がペンタセンを無理やり溶液化して
基板で結晶化させてるものがあるが、これも特性は
ひどくばらつくようだ。

やはり、今回の三菱化学の製品で不安なのはばらつきと、
ドライブしたときの劣化だな。
これさえクリアすれば、有機TFTのスタンダードになりうる。
そのくらいこの発表のインパクトはすごいよ。
(本当ならな)

98 :90:2006/05/20(土) 23:37:05
>>96
可溶化Pentaceneは旭化成
Pentaceneの前駆体からの製膜で一番特性がいいのはIBMのグループのやつ
(JACS,2002,124,8812)であってると思う.

移動度はともかく,前駆体からの製膜だから熱処理温度が気になる.
ある程度以上高いと,無機の膜を溶液から作るデバイスとの競合を
考えないといけない.

99 :名も無きマテリアルさん:2006/05/21(日) 00:47:07
200℃くらいらしい。ぎりぎりプラスチックが使える温度。

100 :名も無きマテリアルさん:2006/05/21(日) 10:04:59
卒研で有機FETを作製している者です。
TC型でもBC型でもどちらでもよいのですが、
SD電極(Au)を蒸着した後、にG電極(Au)とSD電極
が導通してしまうことが多々あります。

これは何が原因なのでしょうか。
絶縁膜(高分子、スピンコート)は1μ程度です


101 :名も無きマテリアルさん:2006/05/21(日) 12:59:02
1.絶縁膜がスカスカ(焼き締め不足)、または溶剤が残っている。

2.蒸着の際に絶縁膜を痛めている。スパッタなら逆スパッタの
時間が長い、パワーが大きすぎる。など。蒸着なら、基板と蒸着源の
距離が近すぎて、熱で絶縁膜を痛めている。

3.蒸着したゲート電極に突起があってカバレージ不足でリーク

4.絶縁膜がぼこぼこ波打っている(スピンコート条件だし不足)から、
 膜が薄いところでリーク

5.絶縁膜が汚い(不純物たくさん、イオンとか)のでリーク
 
6.電圧高すぎ

などがある。いずれにしても、思い当たることはたくさんありすぎて、
どれとは言いがたい。

102 :名も無きマテリアルさん:2006/05/21(日) 23:17:11
>>100
自分で溶液を作ってるなら、
架橋材を入れた方がいいと思います。
溶媒によってはどうしても穴が開くので。

103 :名も無きマテリアルさん:2006/05/21(日) 23:49:04
>>102

たとえばどのような溶媒ですか?

104 :名も無きマテリアルさん:2006/05/24(水) 08:29:57
高分子の絶縁膜をスピンコートで作製すると、
G電極が全面隠れてしまうので、そのような場合は
高分子を溶かした溶媒で電極面を出したらいいんでしょうか。
または、ポリイミドとかはマスクを貼り付けてとかでしょうか。

有機半導体もボトムで行うとSD電極が隠れるのでこの場合も
上記と同じ手法でしょうか。





105 :名も無きマテリアルさん:2006/05/24(水) 09:33:06
卒研生の人は回りに誰も聞く人がいないんだろうか


106 :名も無きマテリアルさん:2006/05/24(水) 21:20:46
>>105

最近は新参者も多いだろうし、(助手の人ならともかく)いきなり先生に聞くのは嫌だろうし、
他人事ながら、学生時代の自分の気持ちを思い出しちゃったよ!
頑張れ卒研生!そして、ぜひ研究を前に進めてくれー

まあ、ここの情報を鵜呑みにするのも危険だとおもうけど、
はやく、先生と相談できるように、知識と実力を蓄えてがんばってください。


107 :名も無きマテリアルさん:2006/05/25(木) 22:58:39
>>103
実際に歩留まりが悪かったのはプロパノールですが、
この溶媒だからそうなるとは限りませんので悪しからず。
基板と溶媒に相性があって、
多分、基板に弾かれやすい溶媒だったら穴が開きやすい。
でも、溶媒によらず均質についてくれる材料がある。
俺が分かったのはそんだけです。

108 :名も無きマテリアルさん:2006/05/26(金) 19:46:40
有機物に金属を蒸着してショットキーを作って、逆電圧をかけてCV測定していますが、うまく行きません。
逆電圧を増やしてもCがそんなに減ってくれない。
LCRメータで測っていますが、周波数はどのくらいが良いのでしょう?
有機物はショットキーを作らないとかあるのですかね?

109 :名も無きマテリアルさん:2006/05/27(土) 00:56:21
有機半導体のC-Vは結構ノウハウが必要だよ。
そもそも今計っているCは膜全部がただの誘電体になっていないか?
それなら、ショットキーの反対側が十分オーミック電極として機能していない。
電極の接触抵抗がでかいとか、膜のキャリア移動度が遅いなら、LCRメーターでは難しいかもね。

110 :名も無きマテリアルさん:2006/05/27(土) 11:16:03
トランジスタってBからE・Cには電流が流れるけど E・CからBには流れない。で合ってますか?
また【正】E(又はC)から【負】Bの抵抗は∞値をとるのでしょうか?

111 :名も無きマテリアルさん:2006/05/28(日) 00:31:45
>110
なぜにバイポーラトランジスタ?
電気電子板にでも行った方が早いのでは.
あと,PNPとNPNで電流の向きが変わるので答えようがない


112 :名も無きマテリアルさん:2006/06/11(日) 10:07:25
静特性で飽和せずに直線になってしまうのは、
何が原因なのでしょうか?


113 :名も無きマテリアルさん:2006/06/11(日) 12:43:57
有機トランジスタには詳しくないが、一般的に。
飽和領域があらわれないということなら、それはソースドレインの間の
電圧が、ゲートソース間の電圧以下ということ。ピンチオフになってない。

線形領域:Vds < Vgs - Vt
飽和領域:Vds > Vgs - Vt

いくらソースドレインの間に電界をかけても線形のままだというなら、
Vtが大きすぎるのだろう。界面にトラップでもあるんではないか?
あるいは、有機半導体結晶の粒界にトラップか、または結晶に
含まれる金属イオンなどの不純物のせいか。
とにかく反転層が飽和しなきゃならないんだが、そこまで電荷が
蓄積されず、余計な準位を埋めるのに使われてしまうのが
原因と思われる。

114 :名も無きマテリアルさん :2006/07/03(月) 19:08:24
>>112
私もあまり詳しくないけど、ゲートの絶縁膜が
厚いから電荷が蓄積されないんじゃないの?

115 :名も無きマテリアルさん:2006/07/07(金) 00:22:51
ウェットで作ってるんだが特性が揃わなくてウガーってなる。

116 :名も無きマテリアルさん:2006/07/07(金) 00:42:34
それがウェットの定めだ。
まあ頑張ってくれ。

117 :名も無きマテリアルさん:2006/07/07(金) 23:53:18
>>115


キャリア移動度、オンオフ比、閾値電圧
それぞれ、どれほどのばらつきですか?

歩留まり向上は、みんな血眼になってやってるから
みんなノウハウとして抱えてるとこも多いとおもう。
色々外部に出て教わるのも手ですよ。

余計なお世話かもしれんが・・・・


118 :名も無きマテリアルさん :2006/08/18(金) 13:34:05
>>117

歩留まり向上って例えばどんなのがあります?

119 :名も無きマテリアルさん:2006/08/21(月) 00:22:58
そろそろ応物ですね。

120 :名も無きマテリアルさん:2006/08/27(日) 12:03:18
院試も終わってそろそろ準備か・・・

121 :名も無きマテリアルさん:2006/09/12(火) 23:28:23

大阪大学など、有機半導体トランジスタを開発?省電力素子に応用へ

http://techtech.jp/jdl/weblog/blog/10/7212

122 :名も無きマテリアルさん:2006/09/12(火) 23:31:05
応物での発表は見たけどね...

123 :名も無きマテリアルさん:2006/09/13(水) 00:01:17
見たけど、どうなの・・・? >122


124 :名も無きマテリアルさん:2006/09/13(水) 00:42:14
いやね、高い移動度って言われている特性はオンになってすぐの相互コンダクタンスなん
だけど、キャリア蓄積とともに相互コンダクタンスが小さくなるみたいなんだわ。

125 :名も無きマテリアルさん:2006/09/14(木) 00:21:16
すぐって,電圧的にすぐなのか時間的にすぐなのかよくわからないんだけど.どっち?
(まあ,予稿集見ればいいだけなんだけど,手元にないので)

もし,時間的にすぐってのだったら,データとして出しちゃいけないと思うし,
電圧的にすぐってのだったら,下手するとFETじゃないのにFETとして移動度を
出したからすごいことになってるだけかもしれないし,どちらにしてもろくなもんじゃないわな.

それにしても,いつから100cm2/Vsが実用化に必要になったんだろw
いくら実用化が遠いからってそんなやけっぱちな数字出さなくてもねえ.

126 :名も無きマテリアルさん:2006/09/15(金) 02:13:14
ルブレン単結晶にシラン化合物処理…。

あんまり新規性はないような気がするんだけど、
移動度たけー。

127 :名も無きマテリアルさん:2006/09/16(土) 08:15:39
材料に関しては、新規化合物が数々提案されているが、
いまや、ペンタセンでも実用化までいけるんじゃないかとおもうこのごろ。

下手なもの使うよりも値段も安そうだし。

128 :名も無きマテリアルさん:2006/09/17(日) 23:12:08
>>125
大学の研究データには安定性・再現性に欠けるものも多いよ。
EL素子も初期の頃は、一瞬で輝度測定してたらしいし(封止技術が未熟な頃)

129 :名も無きマテリアルさん:2006/09/22(金) 22:56:35
ペンタセンは、結晶の安定性、剛性なども大丈夫なんでしょうか? >127
分子系材料は、どうも信頼がおけない気がするのだが。


130 :名も無きマテリアルさん:2006/09/23(土) 01:07:26
>>129

もちろん完璧じゃないとおもうんだが、

結晶の安定性に関しては、封止前提
剛性は、激しく曲げないのであれば、再現性は取れる。
(=破壊されていないと考えて)

ということで、そこそこ使えるのでは?とおもってる。


131 :129:2006/09/25(月) 00:03:08
ナルホド。 >130
結晶を封止する際は結晶が壊れたりしない?
ぐちゃっと下手につぶすとつぶれてしまう気がする。

聞いてばかりでスマソ。


132 :名も無きマテリアルさん:2006/09/25(月) 01:11:08
>>131

封止のイメージは、ラミネートね。
ELみたいに透明である必要はないので、お菓子のふくろのようなのでいいかなと・・・

133 :名も無きマテリアルさん :2006/11/11(土) 23:09:09
表面処理にHMDSやOTSがあるけど、
どっちが特性良くなるん?

こういうのは疎水にして水の影響
をなくすためだけ?



134 :名も無きマテリアルさん:2006/11/12(日) 04:02:27
それだけじゃない。と言われてるね。
その上に乗せる有機半導体の配向が変わるとかなんとか。

だから、どっちが効果あるかは、乗せるものによるのだと思うし、
よく使われてるからといって、それが最適とは限らないね。

135 :名も無きマテリアルさん:2006/11/12(日) 21:58:54
側鎖が長い分OTSの方が効果があるとはよく言われている。

136 :名も無きマテリアルさん:2006/11/14(火) 23:47:21
>>135
確かに,レコード値はOTSの方が良い.ただ,OTSはつけ方がシビアな印象がある.
HMDSの方がOTSより適当につけても効果が出やすい.

あと最近だと,この手の特性の話は誘電率効果で説明するのが流行り
なんじゃないかと思う.
モルフォロジーとかで説明するのはOTSだとドメイン小さくなるとかで
汎用性を持っては受け入れられなくなりつつある.

個人的にはこの手のSAMとあわせてポリマーのバッファ層を検討してみてはと思うが,
なかなか広まらないね.SAMよりも作業が格段に楽なんだけど.

137 :名も無きマテリアルさん ::2006/11/15(水) 17:09:43
HMDSやOTSでの表面処理方法はどうやってます?
どぶ漬け、スピンコートで溶液飛ばし、真空乾燥ってな具合
で大丈夫ですか?

論文見ても処理の仕方があまり載ってなっかたのでこの辺あやふやでして・・・。

138 :名も無きマテリアルさん:2006/11/17(金) 07:18:41

あくまでイメージだけど
「ポリマーのバッファー層」
脱イオン行程とか必要ないんだろうか?
ふつう重合触媒がそのまま入った高分子がペレットで
売られている気がするのですが
そのあたりは影響小さいとみてる?

P3HTもあるから、
触媒除去方法は確立されて
それほど気にしなくてもいい?


139 :名も無きマテリアルさん:2006/11/17(金) 22:31:47
>>138
論文を見てる限りや,重合度を考えれば問題は少ないと思う.

あと,バッファー層に使われるポリマーは理由がなければ
(上に溶液から膜をつけるので溶解性を調整したいとかがない限り)
極性基が無いものが選択されるので,
非極性溶媒にしか溶かして使うからイオン性の不純物はある程度そこで除けるし.

ま,誘電分散やヒステリシス測って問題があるようだったらあきらめるか,
グレードの高いものを買うしかないかと.
(すでにあるポリマーの精製手段は限られるし,たいして効果がないと思う)


140 :名も無きマテリアルさん:2006/11/22(水) 22:18:04
APLでC60を使った移動度6.0cm2/Vsのn-type FETが報告されてて吹いた.
もう何でもありだな.

141 :名も無きマテリアルさん:2006/11/22(水) 23:04:16
C60なら、手を尽くして頑張れば出てもおかしくない値だよ。
意地悪い言い方だと「だから何?」って話でもある。
酸素暴露に対して弱すぎるので、そもそも実用性がねぇ。

142 :名も無きマテリアルさん:2006/11/25(土) 19:24:40
HMDS処理って溶液をスピンコートした後に加熱するんですか?
加熱するとしたら何℃くらいですか?

143 :名も無きマテリアルさん:2006/12/09(土) 18:31:50
P3HTのトランジスタって研究室によって随分と差があるような気がする。
0.1というところもあれば1e-4というところまで。
何が効いてるんだろう。

144 :名も無きマテリアルさん:2006/12/09(土) 21:31:11
>>143
レコードの一桁落ちまでは基板洗浄とか純度とかをきちんとして,
論文でいわれた通りのことをしてればいける気がする.
Pentaceneしかり,P3HTしかり.
それ以上の領域はよくわからん.

145 :名も無きマテリアルさん:2006/12/11(月) 23:10:54
論文に書けないようなノウハウがその研究室の生命線な訳で

146 :名も無きマテリアルさん:2007/02/18(日) 03:10:28
で、結局有機トランジスタってどう?

とこの時期に聞いてみる…

147 :名も無きマテリアルさん:2007/02/18(日) 11:30:28
量産設備の立ち上げが2008年だって。
http://www.plasticlogic.com/JapanesePR03Jan07.php

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