2ちゃんねる ★スマホ版★ ■掲示板に戻る■ 全部 1- 最新50  

■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています

MBEの裏技

1 :名も無きマテリアルさん:03/07/22 01:58
なにかと裏技、コツの多いMBE。披露しましょう。

何かの学会で聞いた、どっかのグループの話。
InSbAsをエピする際、As源として固体Asを原料にするのではなく、
GaAsを原料に。フラックスを減らしつつ、制御性は良いらしい。感涙。
他にも化合物を原料にする方法ってあるのでしょうか?

2 :名も無きマテリアルさん:03/07/23 00:14
セル数が足りひん。裏技でなんとかしてみれ。

3 :_:03/07/23 00:19
http://homepage.mac.com/hiroyuki44/hankaku05.html

4 :名も無きマテリアルさん:03/07/25 13:51
組成について「○○は本当に入っているのか?」と聞かれた時に、
「シャッターは開けましたから」と答える。

5 :名も無きマテリアルさん:03/07/31 00:53
液体窒素で遊ぶ。

6 :名も無きマテリアルさん:03/07/31 02:10
RHEED振動を上手く取りたいので、裏技を教えて下さい

7 :名も無きマテリアルさん:03/07/31 21:36
MOCVDの裏技すれはまだ〜

8 ::03/08/01 00:53
>>6
気合!以上

すぺきゅら〜び〜むの気分が分かるようになれ(苦笑

9 :名も無きマテリアルさん:03/08/13 02:43
もっと俺に裏技をくれ〜

10 :名も無きマテリアルさん:03/08/13 12:03
>>6
ストリークパターンは、少しだけずらして([011]から少し回転させて)、
スポット気味になったところで振動を取ると、強度が取れるそうです。

11 :名も無きマテリアルさん:03/08/13 22:21
電子線の入射角度によってRHEED振動の振幅が変わります。
X線回折の入門書でロッキングカーブの項を読むと
理解できます。
取りあえず、基板の角度を変えてみましょう。

12 :名も無きマテリアルさん:03/08/16 15:48
>>1
蒸気圧の高い原料では、化合物を原料にするって、よくあるのでは?
II-VIで化合物を原料に使ってる人の話しをキボーン

13 :名も無きマテリアルさん:03/08/16 16:01
MBEチャンバにネジ又はボルトを入れる場合、ネジの中心軸に貫通穴を開けておくんだと。
穴を開けておかないと、ネジ穴とネジとで作られた空間に大気が残って、
何かの拍子に、その大気が抜けて、真空度を落とすんだと。電界研磨も忘れずに。

14 :名も無きマテリアルさん:03/08/21 17:52
GaAsを使ってAs2を出すよ〜 固体Asから出るAs4よりも付着係数がでかい。

15 :名も無きマテリアルさん:03/08/23 02:17
>>14
クラッキングセル使えばAs2は楽だよ。


16 :名も無きマテリアルさん:03/08/23 02:30
>>6
なるべく浅くビームを入射すると良く振動が見えたよ。
スクリーン全体が明るくなるぎりぎりのところで、
基板の角度を調整するといいかも。
左右対称のストリークパターンより、明るい点が弧を描くように
基板を回転させると良いよ。
あとは、成長温度によってはみえないこともあるから注意。
III-V系だとAl組成が見えやすいことも多々ある。

ぐらいな。

17 :名も無きマテリアルさん:03/08/23 22:30
>>15
クラッキングセルは高いのでw
通常セルでのAs2使用ってことで、ご勘弁をw

18 :名も無きマテリアルさん:03/08/24 00:43
MMEE(Manual Migration Enhanced Epitaxy)

うちでは数時間つきっきりでやってるよ。

19 :名も無きマテリアルさん:03/08/24 12:29
材料物性板から出張してきた


で、宮はどこ?

20 :名も無きマテリアルさん:03/08/24 12:30
ゴメン誤爆った

21 :名も無きマテリアルさん:03/08/26 22:25
>>1
II-VIの化合物は一般に昇華点が
高いので(ZnSで800℃くらい必要)、
pBNのるつぼが使いずらい。
昔は、ZnS化合物でZnS膜をエピ成長させた
人もいたけど、必ずII族-richになるので
良い膜は作れないです。
最近は、三元とか四元を作るのに、
Sをちょっとまぜたい時に使うくらいかな。
それ以前にSを使う人も少なくなってきているし。



22 :名も無きマテリアルさん:03/11/20 21:02
RHEEDのフィラメントなんどいれてもずれるんやけど、愛無いからかなぁ?

23 :名も無きマテリアルさん:03/11/24 17:56
RHEEDの写真、どんな感じに撮ってますか?
今は普通のデジカメを普通の三脚に固定してるけど

24 :名も無きマテリアルさん:03/11/24 18:47
>>22
具体的にどうずれるのかな?

>>23
 普通にRHEED petternsを見るだけなら良いのでは?
基本ストリークしか見えないかもですが・・
あとは、フォーカスは合います?
これについては、どのようなデジカメを使用しているか分からない
ので何とも言えませんが。
 以前、解析をしていたときは、chanberへ取り付けたマイクロメータでの
微調整が可能な高感度のCCDを使っていました。
で、PCへ取り込んで解析です。


25 ::03/11/28 10:20
RHEEDは製造会社によっては、すごく難しいのも在りますね。
アパーチャに電圧かけてもビームが曲がらなかったり、変な方向に曲がったり、ビームがでなかったり

CCDを使って解析って浜フォトのやつですかね?

26 :名も無きマテリアルさん:03/11/28 15:23
>>25
>CCDを使って解析って浜フォトのやつですかね?

型番は忘れましたが、浜フォト製です。

周囲の磁場による影響が大きいので、RHEEDのビーム調整はなかなか難しいですね。
基板温度を変化させるだけでも磁場が変化しますので、RHEEDパターンに影響が出ますし。
基板温度のPIDの調整が良く効いている時のみ解析用のパターン撮影ができましたね(苦笑)
まぁ見るだけなら良いのですがw 酸化膜飛んだよ〜 とかw


27 :名も無きマテリアルさん:03/12/03 18:56
だれか貼り付けのコツを教えて
どうも貼り付けがへたくそで....

28 :名も無きマテリアルさん:03/12/03 20:59
>>27
何の?

29 :名も無きマテリアルさん:03/12/03 23:19
インジウム?

30 :名も無きマテリアルさん:03/12/05 00:07
27ですが
インジウムです...

31 :名も無きマテリアルさん:03/12/05 02:30
Inフリーのを使おう。

32 :名も無きマテリアルさん:03/12/05 11:28
>31
それが出来ればとっくにしてます

33 :名も無きマテリアルさん:03/12/05 14:25
>>29
>>30

(゚Д゚)ハァ? Indiumを貼り付けるって?????
何のこっちゃ?


34 :名も無きマテリアルさん:03/12/05 22:22
>>33
インジウムで貼り付けるです。
>>27
インジウムは可能な限り薄く塗りましょう。
ガラスやシリコン基板とか、基板ホルダーの材質と同じ金属などで
溶けたInを薄くのばしましょう。
で、基板を貼り付けたら、何往復か少しだけスライドさせましょう。
往復している間に、ピンセットにかかる力が強くなったら、
ぺったりはりついていますよ。
あとは冷やして、基板の外にはみ出したInを剥ぎ取りましょう。

35 :名も無きマテリアルさん:03/12/05 22:45
http://marimo.s6.x-beat.com//marimo.html

36 :名も無きマテリアルさん:03/12/07 01:15
>>34
うちは基板を貼り付けた後、ピンセットでぐるぐると回転させて
裏側にまんべんなくInが付くようにしています

27は多分、基板裏面にちゃんとInがなじんでいないんだよ
融かして貼り付けるというより、チャンバ内では表面張力で付いて
いる状態なのだから、きちんとなじませて裏面にInがノっている
状態にしないと駄目だよ

一度、「これでよし」と思った状態で基板を剥がして裏面を
見てみませう。ちゃんと裏面にInがまんべんなくノって、一面
銀色になっていればOK

37 :名も無きマテリアルさん:03/12/07 17:21
基板とホルダの隙間がInできちんと詰まっていないと基板上の温度に
むらができて試料がだめになる場合がありましたね。

あとは、レーザ構造などの長時間の成長には、Inでは成長中に蒸発し
て基板の落下の危険性があるので、Inの代わりにGaで貼り付けたりし
ていました。その時の基板は、GaAsでした。


38 :名も無きマテリアルさん:03/12/18 19:17
やったー.基板のIn貼り付けうまいこといった
ありがとうございましたペコリ(o_ _)o))

39 :名も無きマテリアルさん:03/12/28 22:25
>37
Gaで貼りつける手法はGaAs基板にのみ有効?

40 :名も無きマテリアルさん:03/12/29 03:25
>>39
ノリになってるInは合金化するので蒸発しないだろう。むしろInが蒸発してGaAs中に混入
するのをいやがってGaをはりつけに使うんだよ。まーだから貼り付けになにを使うかは、
蒸気圧と、物質同士の濡れ性を考えて選ぶべき。

41 :名も無きマテリアルさん:03/12/31 00:17
基板温度800℃以上なんかで、窒化物の成長やってる人は、
ふつうはInで貼り付けたりはしないでしょ。
蒸気圧にしろ、サファイアなどとの濡れにせよ、
どう考えても不向きそうだよね。

42 ::03/12/31 00:49
nitride屋でMBEの人でしたが、使ったりしてますよ。

800 ^{o}C以上って、熱処理かAlNの時ですね
InNだと600 ^{o}C以上にするとInNが分解しちゃうし

基板がsapphireとは限りません。

43 :名も無きマテリアルさん:03/12/31 17:26
張り付け方が悪いと、成長中に落ちるし・・
成長後、基板のトランスファー時に落ちるときなんて・・ 悲惨ですw

基板やホルダをチャンバー内へ落としたことってあります?

44 ::03/12/31 23:44
あります。
基板も、基板ホルダーごとでも、いやぁ、1000回はやりましたんで 1,2 回はねぇ

ハハハハハハハ…

45 :名も無きマテリアルさん:04/01/01 12:40
ホルダなんかは、落ちた時の音が切ないですねぇ。
徹夜して作ったサンプルごと、パーですからw

落下音や落ちたときの痛さは自分しか分かりませんがw

46 :名も無きマテリアルさん:04/01/02 23:44
うちなんか、Inで基板貼りつけて800℃以上とかで1時間も成長したら、
ホルダーに糊付けしたInはほとんど枯れてしまいます。
ホルダー表面の平坦性なんかも重要なんでしょうねぇ。


47 :名も無きマテリアルさん:04/01/03 11:36
>>46
平坦性はRHEEDの詳細な解析には重要だと思います。
基板の平坦性は問題ないかもしれませんが、ホルダの凹凸によって基板が
傾くと問題があるかもです。
私は、定期的にMoホルダを研磨して、基板とビームの高さ調整をしていました。

800℃程の温度なら、昔はGaで基板を貼り付けていました。
この場合、800℃程度では問題有りませんでしたよ。
または、少し多めのInで貼り付ける等。

48 :名も無きマテリアルさん:04/02/12 14:57
はじめまして。
失礼ですが、突然質問します。
MBE法でGaAs基板上にGaAsを成長させた後、表面を見てみると
白っぽくなっています。
それの原因について考察していたんですが、、
どんなことが考えられるのでしょうか。。。?

僕の考えは、酸素等の不純物が表面について凹凸がおきた。
酸素が反応してGaO2が発生した。
Moブロック(フォルダー)に貼り付けた際のInが拡散して表面に回りこんだ。
もしくはInがすでについていた。
酸化膜除去がうまくされていなかった

と、箇条書きで非常に見にくかったでしょう。駄文ながら申し訳ありません。
何かの原因でそのようなことが発生した。。とそんな単純なことではないことはわかっています。
この原因について考えることがナンセンスナンセンスのことはわかっています。
でも、自分はこの原因を見つけ出さないとGaAs成長ができません。
ぜひ、ほかの原因が思い当たる方がおられたら、助言お願いします。。
駄文ながら、まことに申し訳ありませんでした。最後まで目を通してもらってありがとうございます。


49 :名も無きマテリアルさん:04/02/12 19:38
成長速度が早いんじゃないの?


50 :名も無きマテリアルさん:04/02/12 20:16
>>48
昇温時、成長直前、成長直後、降温時のRHEEDパターンはどうでしたか?
モニタができない環境ならば非常に厳しいと思いますが。

>>49
早いのでは?ということは、どの程度の成長速度だと予想しているのかな?
49の意見に対しては非常に興味がありますねぇw


51 ::04/02/12 21:24
>>48
大凡、基板洗浄で失敗しているのかと
砒素導入温度はどうですか?
窒化物とくらべ、GaAsは熱分解されやすいので注意が要ります.

52 :名も無きマテリアルさん:04/02/13 09:04
>>51
As導入温度って何?

53 ::04/02/13 10:39
>> 52
砒素圧がそれなりにないと,
GaAs基板温度が高くなった時にGaAsが分解しますよ.

As(flux を)導入(する基板)温度ってことです.
うん,我々だけの言い方だったかもしれない.

54 :名も無きマテリアルさん:04/02/13 13:27
>>53
ふむふむ。意味が分かりました。Thanks!

研究室内用語みたいなのがありますからねw


55 :名も無きマテリアルさん:04/02/13 13:31
こんにちわ。
48です。
>>49
成長速度は1.2Å/sです。

>>50
昇温時、成長直前、成長直後、降温時のRHEEDパターンはそれぞれ
昇温時はぼやーとしたパターンです。酸化膜が除去されていない状態です。
成長直前はスポッティーなパターンです。酸化膜が除去された後だと思います。
成長直後はスポッティーパターンが徐々にストリークになっていっています。
しかしそのときのパターンは2×4のパターンが見えるのですが、少しぼんやりしています。
降温時はストリークパターンなのですが、すぐに消えてしまいそうなくらいうっすらとしたパターンです。

>>51
As導入温度は400℃です。
その後520〜550℃で酸化膜除去を確認します。

56 :名も無きマテリアルさん:04/02/13 15:12
>>56

50です。
成長直前のスポッティーなパターンというのは、サーマルクリーニング時に見られる
熱ファセットによるものと考えられます。ただ、サーマルクリーニング後、成長温度へ設定すると
思いますが、サーマルクリーニングの温度については、どのような基準で行っていますでしょうか。
例えば、酸化膜除去温度からみてどの程度とか。

降温時は、うっすらとしたパターンとありますが、何度くらいでそのようになりますでしょうか。
また、降温時における[11-0]、[110]のRHEEDパターン変化はなんとか確認できますでしょうか。
確認できる場合、どのようなパターンになっていますでしょうか。
c(4x4)も確認ができないようでしたら、V-IIIの比に問題があるかなぁと考えています。
V-III Flux比はどの程度でしょうか。


57 :名も無きマテリアルさん:04/02/13 15:12
>>56

>>55
への間違いでしたw



58 :名も無きマテリアルさん:04/02/13 15:37
こんにちは。48です。
>>56
サーマルクリーニングの温度は酸化膜除去から60℃上昇させています。
それはプルーグの論文にサーマルクリーニングは630℃以下で行うと書いてあったからです。
酸化膜除去はRHEEDパターンで基本周期が1本から3本見えたときに酸化膜除去確認と判断しています。
酸化膜除去の際の基板表面温度は540℃であると同論文で書かれていました。
サーマルクリーニングは600℃ということになると思います。

はい。Ga供給をやめたあたりからうっすらとします。
成長温度が530℃としていますので、温度でいうと530〜520℃です。
降温時は1分ごとに5℃下げる方法とっています。

降温時の[11-0]と[110]のRHEEDパターンは後者は4倍周期が確認することができるんですが、
前者は確認することはできませんでした。

X−V比は21です。

質問なんですが、c(4x4)とはなんのことですか?

59 :名も無きマテリアルさん:04/02/13 22:24
>>58
サーマルクリーニングについては、問題ないと思います。

>酸化膜除去はRHEEDパターンで基本周期が1本から3本見えたときに酸化膜除去確認と判断しています。
ってことは、[11-0]から見て、x4パターンになっているということかと思いますが。。
EJオプションのGaAs(001)基板を使用しているようなら、確か、OFが[110]だったと記憶しておりますが。

さて、
>降温時の[11-0]と[110]のRHEEDパターンは後者は4倍周期が確認することができるんですが、
この部分が気になりました。
降温時に[110]がx4パターンってことは、V-III比が小さいと思われます。
もう少しV-III比を上げてみてはどうかと判断しましたがどんなもんでしょうか。
49さん、51さんの御意見は如何でしょうか。

>質問なんですが、c(4x4)とはなんのことですか?

少し古いですが、GaAs成長についての論文を探してみてはどうでしょうか。
または、分子線成長法について書かれた書籍なら、大抵は載っていると思いますが。


60 ::04/02/13 22:34
セントラル4X4構造ですね。

一部では o(4X4)構造もあるとかなんとか

61 ::04/02/13 22:43
ホモエピなんだから、 5 ℃/minより大きくてもいいと思います. 私はその3-5倍でやってました.
成長速度が1.2Å/sは、成長量が比較的小さいと思います.

砒素圧が大きい方が綺麗な膜が出来やすかった記憶があります. 窒化物屋なので昔の
ノートを漁れば思い出すかもしれませんが…

62 ::04/02/15 16:23
GaAsだけど, (111)ならB面にホモエピした方が綺麗な面ができやすいです.

63 :名も無きマテリアルさん:04/02/15 17:19
>>62
いきなりなんのこっちゃ

64 ::04/02/15 20:25
GaAsのホモエピについて思い出したんです.
上のほうで白濁化したとかいってたから. e||[110]とあるから, (001)面ですね.

吊って来ます.

65 :名も無きマテリアルさん:04/02/16 18:17
48です。こんばんわ
>>59
ありがとうございます。X−V比を30ほどに上げたら、きれいな表面を得ることができました。
X−V比が20程度あればいいのかなぁって思ってたんですが、それが甘かったです。
本当にありがとうございました。
c(4×4)について、調べてみました。僕には難しいかったですが、理解することがある程度できました。。。
いい勉強になりました。たぶん自分だけでは調べることなかったから、機会をいただいて感謝感謝です。

>>60
親切に教えてくださってありがとうございます。

>>61
初めて知りました。結構ホモエピタキシーの場合はそうやってもいいんですね。自分もいつかはGaNに挑戦したいっす

>>62
B面はそのように使えること初めて知りました。(001)面がもっともきれいなエピができるものと思ってました!


相談に乗ってくださったみなみなさま。本当にありがとうございます。
また、難問にぶつかったときは、質問しますので、そのときもぜひ、相談にのってください
どーもです

66 :名も無きマテリアルさん:04/02/16 20:17
>>65

59です。
無事に解決したということで、おめでとう御座います。

c(4x4)については、InAs量子ドットの作製方法についての文献を見ると
出てくる率が高いと思います。多くは、c(4x4)表面上へInAsを成長している
と思いますので。さらに、STM等で表面を観察しているグループもあります
ので、その辺を調べると良いかなぁと思います。


67 :名も無きマテリアルさん:04/02/17 02:57
RHEED以外のその場観察があると楽しい、筈。

68 :名も無きマテリアルさん:04/02/17 04:42
STMつきのやつもあるよね

69 ::04/02/17 08:56
屈折率を計測し, in situでstoichiometryかどうか分かるやつもあるとか

70 :名も無きマテリアルさん:04/05/25 23:33
国の研究機関なんかでMBEの改造みるけど、これっていくらぐらいかかるんだろな

71 :名も無きマテリアルさん:04/05/27 12:40
MBEと水素クラッキングセルとEB援用エッチング装置を真空一貫で
やりてぇ〜

72 :名も無きマテリアルさん:04/05/28 00:08
あの真空はいろんなものに使いたいな

73 :名も無きマテリアルさん:04/06/07 21:07
サファイア基板の貼り付けでいいアイディアはないですか?Inだと蒸発したりしなかったりで。。

74 :名も無きマテリアルさん:04/06/30 13:25
RHEEDの見方から勉強しようと思うのですがいい本はありますか?

75 :名も無きマテリアルさん:04/07/24 23:55
急にGaAs(100)基板上の成長を初めてすることになったんですけど、

(2*4)パターンは降温中にどう変わるべきですか?
もちろんAs圧に依存すると思いますが、
大体400度ぐらいまで高As圧下で降温するとc(4*4)になりますよね?
一方で500〜550度から低As圧下で降温すれば、(2*4)のままだと思うんですけど。

文献で降温中に(2*1)に変わるというのを読んだのですが、
まったくそうなりません。

76 :名も無きマテリアルさん:04/07/25 11:16
>>75
低温になってくると、Asが付着してしまい、パターンが薄くなるのではないかと。


77 :名も無きマテリアルさん:04/08/01 22:19
MBEって昇温中や降温中に表面の形かわっちゃわないの?

78 :名も無きマテリアルさん:04/08/02 06:55
ちなみにジャンプ最全盛期(?)と言われる、600万部(1991年時)の頃の
主な連載陣

ドラゴンボール・・・・・・・・・・・・・・鳥山明
スラムダンク・・・・・・・・・・・・・・・井上雄彦
ろくでなしBLUES・・・・・・・・・・・森田まさのり
ドラゴンクエスト ダイの大冒険・・・・・・三条陸/稲田浩司/堀井雄二
シティーハンター・・・・・・・・・・・・・北条司
花の慶次-雲のかなたに-・・・・・・・・・・原哲夫/隆慶一郎
ジョジョの奇妙な冒険-第3部-空条承太郎・・荒木飛呂彦
魁!男塾・・・・・・・・・・・・・・・・・宮下あきら
まじかるタルるートくん・・・・・・・・・・江川達也
こちら葛飾区亀有公園前派出所・・・・・・・秋本治
幽遊白書・・・・・・・・・・・・・・・・・富樫義博
電影少女・・・・・・・・・・・・・・・・・桂正和
新ジャングルの王者ターちゃん・・・・・・・徳弘正也
燃える!お兄さん・・・・・・・・・・・・・佐藤正
エース!・・・・・・・・・・・・・・・・・高橋陽一
珍遊記・・・・・・・・・・・・・・・・・・漫画太郎
(週間少年ジャンプ1991年3−4合併号より)

79 :名も無きマテリアルさん:04/08/03 01:45
表面構造は、昇温・降温よりも、基板温度・砒素圧で変わる。
ある表面構造のまま室温に戻したい時は素早くクエンチすると
良い。


80 :75:04/08/03 04:44
>>76,79

情報をありがとうございます。
ちなみに2*1って見たことあります?
それとも文献が間違ってるんだろうか。

81 :名も無きマテリアルさん:04/10/05 11:43:29
あの〜皆様RHEED振動ってバッファーどれくらい積んだら見えます?
訳あってバッファー40nmぐらいしか積めなくて見えるか見えないかぎりぎりラインです.
だから成長はいっつも膜厚がてきとーで...大体はあってますが
それより組成が...(泣

82 :名も無きマテリアルさん:04/10/11 13:05:33
ちなみにGaAsです

83 :名も無きマテリアルさん:04/10/12 17:05:24
>>81
>訳あってバッファー40nm・・

どんな訳なんでしょう?
公開できないようでしたら、仕方がないですが。


84 :名も無きマテリアルさん:04/10/12 23:50:00
InGaAs/GaAs
In組成ってどこまで伸ばせるの?もちろんPLが光る範囲で・・・膜圧は50Å程度

85 :名も無きマテリアルさん:04/10/13 17:06:17
>>84
転位が入らん程度の組成なら大丈夫と思うけども...

86 :名も無きマテリアルさん:04/10/13 18:27:41
>>84
文献によると20%まではガンガン光るらしい

87 :名も無きマテリアルさん:04/10/13 19:55:22
>>83
選択成長してるんだが,100nmもつんでしまうと
ファセットで全部覆われてしまうので,これだと都合が悪くて...
というわけで,40nmあたりがちょうどいいぐらいで...

88 :名も無きマテリアルさん:04/10/14 15:36:07
>>84
Sbを少量添加スレ

89 :名も無きマテリアルさん:04/11/15 16:31:49
意見求むです。

最近トリメチルインジウムのガスセルいれたんで供給実験したんですけど
全くインジウムが入らなかったんですよ。

実験条件は
基盤はSi(111)基盤に水素終端処理したもの。
供給材料はトリメチルインジウムのみ。
ガスセル温度は480℃
基盤温度600℃
流量0.3sccm


こんな感じでやってみてインジウムドロップがでればOKって感じだったんですけど
全く出ませんでした。
インジウムじゃなく炭素でもついたのかなって予想してるんですけど…

90 ::04/11/15 23:55:21
んーっと
「基盤」とは使わないと思います。「基板」です。
基板温度600 oCでしたら、表面が炭化されたかどうかはRHEEDでは確認できない
と思います。 Inの平衡蒸気圧は高い方ですから、基板温度をおもいっきり下げてみて
は如何でしょうか?

91 :名も無きマテリアルさん:04/11/16 11:29:10
おねがいします
環境試験で レイティングナンバーてでてきました・・・・
詳細を知りたいのですが・・・

また、公式で 腐食部 長径(d1) 短径(d2)
(π/4)*(d1*d2)でしょうか・・・・
π/(4*d1*d2)でしょうか・・・
よろしくお願いします。

92 :名も無きマテリアルさん:04/11/16 12:51:42
Layerbylayer口癖みたいに何回も叫ぶな。
あほ

93 :名も無きマテリアルさん:04/11/17 14:36:54
>>92
なんのこっちゃ?

94 :名も無きマテリアルさん:04/11/29 16:42:53
MBEの選択成長(´・д・`) ヤダ

95 :名も無きマテリアルさん:05/01/16 01:49:39
9月にブレーメンの学会に出る羽目に・・・
旅費20万円自腹・・・
むり・・ しぬ・・

96 :名も無きマテリアルさん:05/01/16 01:54:09
ガス源って原料入れ替えの際にリークせずにすむ以外になにかメリットってあるんでしょうかね。
手元の本には混晶成長のときに効果が大きいって書いてあったが理由がよくわからねっす

97 :名も無きマテリアルさん:05/01/17 01:50:03
基盤貼り付けるときインジウムが表面につきまくり。
今日5回も失敗しちゃった♪
大企業の研究所なんかだとこんなことないんだろうか。

98 :名も無きマテリアルさん:05/01/17 10:11:42
>>97
それってInの量が多すぎではもう少し少なくしてみるとか?

後、きばんは「基盤」ではなく「基板」です。分かってるとは思うけど

99 ::05/01/17 23:59:03
>>97
そもそも、In pasteなんて使いません

100 :名も無きマテリアルさん:05/01/19 03:52:04
うちのガスセル流量が安定しないからやだ

101 :名も無きマテリアルさん:05/01/19 10:30:41
うちのフラックス測れないからやだ

102 :名も無きマテリアルさん:05/01/19 20:57:24
論文とか読んでるとガスソースでの成長でどうやったら15sccmとか流せるんだろうか。
うちのMBE装置では1sccmも流したら真空計が壊れそうになるんだけど。

103 :名も無きマテリアルさん:05/01/19 21:08:02
ポンプの性能では?ターボも一緒に使ってるとか?
ガスソースやってないからしらんですけど〜

104 :名も無きマテリアルさん:05/01/22 23:48:39
基盤にトリエチルガリウム照射したらダイヤモンドができてた

105 :名も無きマテリアルさん:05/01/23 19:25:37
>>104
嘘付け。どんな条件で照射したらダイヤなんてできるんだよ。

106 :名も無きマテリアルさん:05/01/25 07:29:44
今日ロータリーポンプが逆流しましたよっと。
こういう場合はどうしようも無いんでしょうかね

107 :名も無きマテリアルさん:05/01/27 14:14:40
>>106
(* ̄ノ ̄)/Ωチーン (* ̄- ̄)人 i~ 合掌

108 :名も無きマテリアルさん:05/01/28 03:30:44
装置内に油なんて入ったらもう使い物にならないんじゃないか?

109 :名も無きマテリアルさん:05/01/29 00:12:14
今日デポしてて基板をセルの上に落としちゃったよ。。。


110 :名も無きマテリアルさん:05/01/29 10:03:41
>>109
真空破るしかないね

111 :名も無きマテリアルさん:05/02/05 03:24:26
>>106
知り合いの研究室で油拡散ポンプ付きのGS-MBEを使っていた。
あるとき、トラップの液体窒素が無くなって
油が逆流したらしい。

大きなフランジを開けて内側を
アルコールで全部拭いたそうだ。

その後もチェンバーは使っていたよ。

大きなフランジにねじ閉め用の番号が書いてあって
ちょっと笑った。

112 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 16:09:59
みなさんの使用しているMBEは使い始めてから何年ですか?
うちのはもう10ねん以上も使ってるらしいんですがやっぱ時代遅れ感は否めない・・・

113 :名も無きマテリアルさん:05/02/10 10:13:09
>>112
うちはそろそろ10年。

114 :名も無きマテリアルさん:05/02/10 22:14:49
うちのも10年くらいかなぁ。流量の調整とか手動でやってます。
オートで調整してくれるやつとかほしいなぁ。

115 :名も無きマテリアルさん:05/02/26 18:08:06
固体ソースなんですが、るつぼの形状(内側)でレートってかなり変わります?

116 :名も無きマテリアルさん:2005/05/18(水) 03:03:30
基板ホルダが落下した…。ハア orz

117 :名も無きマテリアルさん:2005/05/18(水) 04:16:55
オープンいっとく?

118 :名も無きマテリアルさん:2005/05/18(水) 15:47:03
オープンしかないね

119 :116:2005/05/20(金) 00:51:24
あと2つホルダがあるので、次のソース交換で取りだす!
メンテ後1ヶ月で開けるなんてできねェ〜

120 :名も無きマテリアルさん:2005/10/17(月) 15:54:26
質問させて頂きます。
RHEEDパターンでなぜストリークであれば表面が平坦なのか
分かりません。
言い方を変えれば、何故ストリークになるのでしょうか?

121 :名も無きマテリアルさん:2005/10/19(水) 11:34:40
ディズニーと関係のある京成電鉄やトミー株式会社って創価学会系企業ですな。

122 :名も無きマテリアルさん:2005/10/21(金) 00:02:13
>>120
よく、間違えられていますが
ストリークだからといって、表面が平坦であるとは限りません。
ストリークの場合、有限長で平坦であるといわれると思います。

高見知秀:「反射高速電子回折図形解釈の練習問題」, 表面科学,
25 (2004) 363.
上記の文献をごらんになればよいと思います。

123 :名も無きマテリアルさん:2005/11/01(火) 01:41:36
>>120
逆格子空間ロッドが、表面が有限であるために伸びて、
その結果ストリークになる。

124 :名も無きマテリアルさん:2005/11/01(火) 22:44:16
うんこ (´・ω・`)

うんこ、うんこへ。
このうんこはうんこだ。まずうんこを飲んでうんこ。

うんこ、「うんこ」なんだ。うんこ。
うんこの顔もうんこまでと言ううんこ、うんこしてもらおうとも思っていない。

うんこ、このうんこを見たとき、うんこは、きっとうんこでは言い表せない
「うんこ」のようなうんこをうんこしてくれたはずだ。
うんこな世の中で、そういううんこをうんこしないでうんこ、そう思って
このうんこをうんこしたんだ。


さあ、うんこを食おうか。


このレスを見た人は酷い下痢になる

125 :名も無きマテリアルさん:2005/11/08(火) 12:49:35
>>122
検索で探して pdf をダウンロードしたけど、
パスワードがかかってて見れなかった orz

126 :名も無きマテリアルさん:2005/12/23(金) 22:06:03
MBEで様々な有機分子やっています。

フタロシアニン系のセル温度は何度くらいが
ベストでしょうか。

127 :名も無きマテリアルさん:2005/12/25(日) 23:41:41
>>126
ベストってどういう意味なんだろう.
フタロシアニン系なら蒸着速度見ながら適当にやればそれでいいような気がする.
基本的に分解しないし.

温度的には300℃ちょっとこえたあたりで飛ばしてたような気がするけど,
セルによっても変わるだろうから参考にもならないかと.

128 :名も無きマテリアルさん:2006/09/03(日) 22:59:56
MBE2006あげ

32 KB
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています

★スマホ版★ 掲示板に戻る 全部 前100 次100 最新50

read.cgi ver 05.02.02 2014/06/23 Mango Mangüé ★
FOX ★ DSO(Dynamic Shared Object)